MRF6S9160HSR3 vs MRFE6S9160HSR3 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MRF6S9160HSR3 নির্দিষ্ট NXP Semiconductors ও MRFE6S9160HSR3 নির্দিষ্ট NXP Semiconductors. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
NXP Semiconductors
MRF6S9160HSR3 - 880MHz 35W RF Power LDMOS | NXP Semiconductors
MRF6S9160HSR3 ⚠ শেষ কিনার সময়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MRF6S9160HSR3 | MRFE6S9160HSR3 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | শেষবার কেনার সুযোগ | সক্রিয় |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET | LDMOS, N-Channel, Enhancement-Mode, Lateral |
| Application | RF Power Amplifier | — |
| Operating Frequency | 865 MHz to 960 MHz | — |
| Test Frequency | 880 MHz | 880 MHz |
| Drain-Source Voltage (Vdss) Rated | 68 V | — |
| Operating Voltage (VDD) | 28 V | — |
| Test Bias Current (IDQ) | 1.2 A | — |
| Output Power (Pout, Avg.) | 35 W Avg. | — |
| Power Gain | 20.9 dB typical at 880 MHz | 21 dB (typical at 880 MHz) |
| Drain Efficiency | 31% typical at 880 MHz | 31% (typical at 35 W avg.) |
| ACPR @ 750 kHz Offset | -46.8 dBc (N-CDMA) | — |
| প্যাকেজ | NI-780S (CASE 465-06, STYLE 1) ceramic flange-mount | NI-780S (NI780HS) ceramic, bolted flange |
| মাউন্টিং টাইপ | Flange / Chassis Mount with screw holes | Through-hole / chassis mount with flange |
| Lead-Free Status | Lead free (HSR3 suffix) | — |
| Designed Waveforms | N-CDMA, GSM, GSM EDGE, multicarrier | — |
| Manufacturer | — | NXP Semiconductors (formerly Freescale) |
| Part Number | — | MRFE6S9160HSR3 |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | — | 66 V (rated) |
| ড্রেইন-সোর্স ব্রেকডাউন ভোল্টেজ | — | [DATA_NEEDED: V(BR)DSS minimum] |
| Operating Drain Voltage (VDD) | — | 28 V (typical bias) |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 10 uA [leakage spec context, ID max [DATA_NEEDED]] |
| Quiescent Current (IDQ) | — | 1200 mA |
| Operating Frequency Range | — | 865 MHz to 960 MHz |
| Output Power (Pout) Avg. | — | 35 W (under N-CDMA drive, 9.8 dB PAR) |
| Output Power Peak | — | 160 W (peak envelope) |
| ACPR at 750 kHz Offset | — | -46.8 dBc |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | [DATA_NEEDED: confirm via latest distributor listing] |
| Technology | — | HV6E (6th gen high-voltage LDMOS) |