MT40A1G8SA-062E vs MT40A1G8SA-075:E তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT40A1G8SA-062E নির্দিষ্ট Micron Technology ও MT40A1G8SA-075:E নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
MT40A1G8SA-062E MT40A1G8SA-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A1G8SA-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A1G8SA-062E ✓ সক্রিয়
Micron Technology
MT40A1G8SA-075:E MT40A1G8SA-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 1.33GHz | Micron

MT40A1G8SA-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 1.33GHz | Micron

MT40A1G8SA-075:E ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার MT40A1G8SA-062E MT40A1G8SA-075:E
ব্র্যান্ড Micron Technology Micron Technology
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM SDRAM - DDR4
Density 8 Gbit —
সংগঠন 1G x 8 —
ডেটা রেট 3200 MT/s (DDR4-3200) 2666 MT/s
Clock Frequency 1.6 GHz 1.33 GHz
Access Time (CAS Latency) CL22 at 3200 MT/s —
Row Access Time 19 ns —
VDD / VDDQ 1.2 V +/-60 mV —
VPP 2.5 V, -125 mV, +250 mV —
Internal Banks 16 banks (4 bank groups x 4 banks) —
Refresh 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C) —
অপারেটিং তাপমাত্রা 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C) —
I/O Type 1.2 V pseudo open-drain —
Burst Length BL8, BC4 (burst chop) —
প্যাকেজ 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm) 78-FBGA (7.5x11 mm)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
বৈশিষ্ট্য Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ —
মেমরি সাইজ — 8Gbit (1G x 8)
ইন্টারফেস — Parallel
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Supply Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — 0°C to +95°C
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
Write Leveling — Supported
Dynamic On-Chip Termination — Supported
CRC Function — Supported
Data Mask Function — Supported
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট