MT40A512M16JY-083E vs K4A4G165WG-BCWE তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT40A512M16JY-083E নির্দিষ্ট Micron Technology ও K4A4G165WG-BCWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Micron Technology
MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron
MT40A512M16JY-083E ✓ সক্রিয়Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A4G165WG-BCWE ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MT40A512M16JY-083E | K4A4G165WG-BCWE |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Micron Technology | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | DRAM | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ইউনিট মূল্য (USD) | — | $16.90 |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM (Automotive) | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 8 Gbit | — |
| সংগঠন | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns) | [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] |
| ডেটা রেট | 2400 MT/s (speed grade -083E) | 3200 Mbps |
| VDD Supply Voltage | 1.2 V +/- 60 mV | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.2 V +/- 60 mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5 V, -125 mV, +250 mV | — |
| I/O Interface | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die internal adjustable generation | — |
| Refresh Structure | 8192-cycle refresh | — |
| Refresh Window | 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C | — |
| প্যাকেজ | 96-FBGA (8 x 14 mm) | FBGA-96 |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| ECCN | EAR99 | — |
| হ্যালোজেন মুক্ত | Compliant | — |
| Country of Origin | China | — |
| মেমরি সাইজ | — | 4 Gbit |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| ইন্টারফেস | — | Parallel |
| Access Time | — | 19 ns |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 1.2 V |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | 0C to +85C |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | DDR4 |
| Product Status | — | Active |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant (per JLCPCB listing) |
| CAS লেটেন্সি | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh interval] |