MT40A512M16JY-083E vs K4A4G165WG-BCWE موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT40A512M16JY-083E بذریعہ Micron Technology اور K4A4G165WG-BCWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Micron Technology
MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron
MT40A512M16JY-083E ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MT40A512M16JY-083E | K4A4G165WG-BCWE |
|---|---|---|
| برانڈ | Micron Technology | Samsung Electronics |
| زمرہ | DRAM | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $16.90 |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM (Automotive) | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 8 Gbit | — |
| تنظیم | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns) | [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] |
| ڈیٹا ریٹ | 2400 MT/s (speed grade -083E) | 3200 Mbps |
| VDD Supply Voltage | 1.2 V +/- 60 mV | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.2 V +/- 60 mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5 V, -125 mV, +250 mV | — |
| I/O Interface | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die internal adjustable generation | — |
| Refresh Structure | 8192-cycle refresh | — |
| Refresh Window | 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C | — |
| پیکیج | 96-FBGA (8 x 14 mm) | FBGA-96 |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| ECCN | EAR99 | — |
| ہیلوجن فری | Compliant | — |
| Country of Origin | China | — |
| میموری سائز | — | 4 Gbit |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| انٹرفیس | — | Parallel |
| Access Time | — | 19 ns |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.2 V |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | 0C to +85C |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | DDR4 |
| Product Status | — | Active |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant (per JLCPCB listing) |
| CAS لیٹنسی | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh interval] |