MT40A512M16TB-062E:R vs K4A8G085WB-BIWE তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT40A512M16TB-062E:R নির্দিষ্ট Micron Technology ও K4A8G085WB-BIWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MT40A512M16TB-062E:R | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Micron Technology | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| স্টক স্ট্যাটাস | In Stock | — |
| ইউনিট মূল্য (USD) | $60.00 | — |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 8 Gbit (512M x 16) | 8 Gb |
| ডেটা রেট | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Clock Frequency | 1600 MHz | — |
| CAS লেটেন্সি | 22 | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0°C to +95°C | 0°C to +85°C |
| প্যাকেজ | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 78-FBGA |
| ইন্টারফেস | Parallel | — |
| ডেটা বাস প্রস্থ | 16 bits | — |
| Refresh Time | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| বৈশিষ্ট্য | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 1.2 V |
| মাউন্টিং টাইপ | — | Surface Mount |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |
| হ্যালোজেন মুক্ত | — | Yes |