MT40A512M16TB-062E:R vs K4A8G085WB-BIWE So sánh
So sánh chi tiết song song của MT40A512M16TB-062E:R bằng Micron Technology và K4A8G085WB-BIWE bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | MT40A512M16TB-062E:R | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Trạng thái kho | In Stock | — |
| Giá đơn vị (USD) | $60,00 | — |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 8 Gbit (512M x 16) | 8 Gb |
| Tốc độ dữ liệu | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Clock Frequency | 1600 MHz | — |
| Latency CAS | 22 | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Nhiệt độ hoạt động | 0°C to +95°C | 0°C to +85°C |
| Hộp | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 78-FBGA |
| Giao diện | Parallel | — |
| Bề rộng đường dữ liệu | 16 bits | — |
| Refresh Time | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| Tính năng | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Điện áp cung cấp | — | 1.2 V |
| Kiểu lắp đặt | — | Surface Mount |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |
| Đông trùng haogen | — | Yes |