MT40A512M8RH-083E vs H5AN4G8NBJR-PBC তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT40A512M8RH-083E নির্দিষ্ট Micron Technology ও H5AN4G8NBJR-PBC নির্দিষ্ট SK hynix. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
MT40A512M8RH-083E MT40A512M8RH-083E - 4Gb DDR4 512Mx8 2400MHz | Micron

MT40A512M8RH-083E - 4Gb DDR4 512Mx8 2400MHz | Micron

MT40A512M8RH-083E ✓ সক্রিয়
SK hynix
H5AN4G8NBJR-PBC H5AN4G8NBJR-PBC - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 FBGA-78 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-PBC - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 FBGA-78 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-PBC ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার MT40A512M8RH-083E H5AN4G8NBJR-PBC
ব্র্যান্ড Micron Technology SK hynix
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
সংগঠন 512M x 8 512M x 8
Industry Speed Grade DDR4-2400 —
Clock Rate 1.2 GHz —
Internal Banks 8 banks (2 groups of 4) —
Prefetch 8n-bit —
Refresh 64 ms, 8192-cycle refresh (to 95C) 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC
VDD / VDDQ 1.2 V +/-60 mV —
VPP 2.5 V, -125 mV/+250 mV —
I/O Structure 1.2 V pseudo open-drain —
VREFDQ On-die internal, adjustable generation —
অপারেটিং তাপমাত্রা 0C to +95C —
প্যাকেজ 78-ball FBGA (9 x 10.5 mm) 78-ball FBGA
FBGA Code D9TGG —
Marking Code D9TGG —
Data Strobe Preamble Programmable —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant —
CAS লেটেন্সি [DATA_NEEDED: CAS latency per speed bin table] —
Memory Density — 4 Gbit
ইন্টারফেস টাইপ — Parallel, JEDEC DDR4
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
Speed Grade — PBC
Clock Frequency — [DATA_NEEDED: Clock Frequency]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
মাউন্টিং টাইপ — Surface Mount
Normal Operating Case Temperature — 0C to 85C
Extended Temperature Range — up to 95C case (with increased refresh)
Lead Free — Yes
হ্যালোজেন মুক্ত — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট