MT40A512M8RH-083E vs H5AN4G8NBJR-PBC So sánh

So sánh chi tiết song song của MT40A512M8RH-083E bằng Micron Technology và H5AN4G8NBJR-PBC bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Micron Technology
MT40A512M8RH-083E MT40A512M8RH-083E - 4Gb DDR4 512Mx8 2400MHz | Micron

MT40A512M8RH-083E - 4Gb DDR4 512Mx8 2400MHz | Micron

MT40A512M8RH-083E ✓ Hoạt động
SK hynix
H5AN4G8NBJR-PBC H5AN4G8NBJR-PBC - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 FBGA-78 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-PBC - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 FBGA-78 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-PBC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số MT40A512M8RH-083E H5AN4G8NBJR-PBC
Thương hiệu Micron Technology SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
Tổ chức 512M x 8 512M x 8
Industry Speed Grade DDR4-2400 —
Clock Rate 1.2 GHz —
Internal Banks 8 banks (2 groups of 4) —
Prefetch 8n-bit —
Refresh 64 ms, 8192-cycle refresh (to 95C) 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC
VDD / VDDQ 1.2 V +/-60 mV —
VPP 2.5 V, -125 mV/+250 mV —
I/O Structure 1.2 V pseudo open-drain —
VREFDQ On-die internal, adjustable generation —
Nhiệt độ hoạt động 0C to +95C —
Hộp 78-ball FBGA (9 x 10.5 mm) 78-ball FBGA
FBGA Code D9TGG —
Marking Code D9TGG —
Data Strobe Preamble Programmable —
Trạng thái RoHS Compliant —
Latency CAS [DATA_NEEDED: CAS latency per speed bin table] —
Memory Density — 4 Gbit
Loại giao diện — Parallel, JEDEC DDR4
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
Speed Grade — PBC
Clock Frequency — [DATA_NEEDED: Clock Frequency]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Kiểu lắp đặt — Surface Mount
Normal Operating Case Temperature — 0C to 85C
Extended Temperature Range — up to 95C case (with increased refresh)
Lead Free — Yes
Đông trùng haogen — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá