MT40A512M8RH-083E vs H5AN4G8NBJR-PBC موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT40A512M8RH-083E بذریعہ Micron Technology اور H5AN4G8NBJR-PBC بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MT40A512M8RH-083E | H5AN4G8NBJR-PBC |
|---|---|---|
| برانڈ | Micron Technology | SK hynix |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| تنظیم | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Industry Speed Grade | DDR4-2400 | — |
| Clock Rate | 1.2 GHz | — |
| Internal Banks | 8 banks (2 groups of 4) | — |
| Prefetch | 8n-bit | — |
| Refresh | 64 ms, 8192-cycle refresh (to 95C) | 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC |
| VDD / VDDQ | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP | 2.5 V, -125 mV/+250 mV | — |
| I/O Structure | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die internal, adjustable generation | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +95C | — |
| پیکیج | 78-ball FBGA (9 x 10.5 mm) | 78-ball FBGA |
| FBGA Code | D9TGG | — |
| Marking Code | D9TGG | — |
| Data Strobe Preamble | Programmable | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| CAS لیٹنسی | [DATA_NEEDED: CAS latency per speed bin table] | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| انٹرفیس ٹائپ | — | Parallel, JEDEC DDR4 |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Speed Grade | — | PBC |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount |
| Normal Operating Case Temperature | — | 0C to 85C |
| Extended Temperature Range | — | up to 95C case (with increased refresh) |
| Lead Free | — | Yes |
| ہیلوجن فری | — | Yes |