MT40A512M8RH-083E vs H5AN4G8NBJR-RDC তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT40A512M8RH-083E নির্দিষ্ট Micron Technology ও H5AN4G8NBJR-RDC নির্দিষ্ট SK hynix. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MT40A512M8RH-083E | H5AN4G8NBJR-RDC |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Micron Technology | SK hynix |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| সংগঠন | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Industry Speed Grade | DDR4-2400 | — |
| Clock Rate | 1.2 GHz | — |
| Internal Banks | 8 banks (2 groups of 4) | — |
| Prefetch | 8n-bit | — |
| Refresh | 64 ms, 8192-cycle refresh (to 95C) | Auto-refresh and self-refresh |
| VDD / VDDQ | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP | 2.5 V, -125 mV/+250 mV | — |
| I/O Structure | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die internal, adjustable generation | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0C to +95C | — |
| প্যাকেজ | 78-ball FBGA (9 x 10.5 mm) | 78-ball FBGA |
| FBGA Code | D9TGG | — |
| Marking Code | D9TGG | — |
| Data Strobe Preamble | Programmable | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) |
| CAS লেটেন্সি | [DATA_NEEDED: CAS latency per speed bin table] | — |
| ইন্টারফেস | — | DDR4 (Double Data Rate IV) |
| মাউন্টিং টাইপ | — | Surface Mount |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] |
| ডেটা রেট | — | [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] |
| Bank Architecture | — | 8 banks with 4 bank groups (x8) |
| Temperature Grade | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| Process Technology | — | CMOS |
| Manufacturer | — | SK hynix |
| Family Series | — | H5AN4G4/8/6NBJR |