NT5AD512M16A4-GZ vs MT40A512M16JY-075E তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা NT5AD512M16A4-GZ নির্দিষ্ট Nanya Technology ও MT40A512M16JY-075E নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | NT5AD512M16A4-GZ | MT40A512M16JY-075E |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Nanya Technology | Micron Technology |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| সংগঠন | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8Gb | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2V | — |
| সর্বোচ্চ ক্লক ফ্রিকোয়েন্সি | 1200 MHz | — |
| ডেটা বাস প্রস্থ | 16 bits | — |
| প্যাকেজ | TFBGA-96 | 96-FBGA (8x14) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Interleaved Burst Length | 4, 8 | — |
| Access Mode | Four Bank Page Burst | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | Commercial and Industrial | 0°C to +95°C (TC) |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Write Leveling Function | Yes | — |
| ZQ Calibration Function | Yes | — |
| মেমরি সাইজ | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| ডেটা রেট | — | 2666 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.14V to 1.26V |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| ইন্টারফেস | — | Parallel |
| মাউন্টিং টাইপ | — | Surface Mount |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |
| বৈশিষ্ট্য | — | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |