NT5AD512M16A4-GZ vs MT40A512M16JY-075E موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از NT5AD512M16A4-GZ بذریعہ Nanya Technology اور MT40A512M16JY-075E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Nanya Technology
NT5AD512M16A4-GZ NT5AD512M16A4-GZ - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya

NT5AD512M16A4-GZ - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya

NT5AD512M16A4-GZ ✓ فعال
Micron Technology
MT40A512M16JY-075E MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر NT5AD512M16A4-GZ MT40A512M16JY-075E
برانڈ Nanya Technology Micron Technology
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
تنظیم 512M x 16 512M x 16
Density 8Gb —
سپلائی وولٹیج 1.2V —
زیادہ سے زیادہ کلاک فریکوئنسی 1200 MHz —
ڈیٹا بس چوڑائی 16 bits —
پیکیج TFBGA-96 96-FBGA (8x14)
Number of Terminals 96 —
Interleaved Burst Length 4, 8 —
Access Mode Four Bank Page Burst —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج Commercial and Industrial 0°C to +95°C (TC)
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
CRC Function Yes —
Data Mask Function Yes —
Write Leveling Function Yes —
ZQ Calibration Function Yes —
میموری سائز — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.33 GHz
ڈیٹا ریٹ — 2666 MT/s
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.14V to 1.26V
VPP Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
انٹرفیس — Parallel
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount
Refresh Time — 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C
RoHS اسٹیٹس — Compliant
خصوصیات — Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں