NT5AD512M16A4-GZ vs MT40A512M16JY-075E השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של NT5AD512M16A4-GZ מאת Nanya Technology ו MT40A512M16JY-075E מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | NT5AD512M16A4-GZ | MT40A512M16JY-075E |
|---|---|---|
| מותג | Nanya Technology | Micron Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| ארגון | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8Gb | — |
| מתח אספקה | 1.2V | — |
| תדר שעון מקסימלי | 1200 MHz | — |
| רוחב אפיק נתונים | 16 bits | — |
| מארז | TFBGA-96 | 96-FBGA (8x14) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Interleaved Burst Length | 4, 8 | — |
| Access Mode | Four Bank Page Burst | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | Commercial and Industrial | 0°C to +95°C (TC) |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Write Leveling Function | Yes | — |
| ZQ Calibration Function | Yes | — |
| גודל זיכרון | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| קצב נתונים | — | 2666 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.14V to 1.26V |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| ממשק | — | Parallel |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| תכונות | — | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |