NT5CB256M16CP-DI vs K4B4G1646D-BYK0 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা NT5CB256M16CP-DI নির্দিষ্ট Nanya Technology ও K4B4G1646D-BYK0 নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK0 K4B4G1646D-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BYK0 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার NT5CB256M16CP-DI K4B4G1646D-BYK0
ব্র্যান্ড Nanya Technology Samsung Electronics
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
সংগঠন 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb 4 Gbit
সাপ্লাই ভোল্টেজ 1.35 V (DDR3L) 1.35 V (1.5 V compatible)
ডেটা রেট 1600 Mbps/pin (max) 1600 Mbps (PC3-12800)
প্যাকেজ TFBGA-96 96-ball FBGA
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
অপারেটিং তাপমাত্রা — 0°C to 85°C
CAS লেটেন্সি — Programmable (e.g., 11, 10, 9)
Burst Length — 8 (with burst chop 4)
On-Die Termination — Yes
হ্যালোজেন মুক্ত — Yes
RoHS Compliant — Yes
পিনের সংখ্যা — 96
Die Revision — D-die

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট