NVHL072N120SC1 vs NTHL040N120SC1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা NVHL072N120SC1 নির্দিষ্ট onsemi ও NTHL040N120SC1 নির্দিষ্ট onsemi. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

onsemi
NVHL072N120SC1 NVHL072N120SC1 - 1200V SiC MOSFET, Low RDS(on) | onsemi

NVHL072N120SC1 - 1200V SiC MOSFET, Low RDS(on) | onsemi

NVHL072N120SC1 ✓ সক্রিয়
onsemi
NTHL040N120SC1 NTHL040N120SC1 - 1200V 40mΩ SiC MOSFET TO-247 | onsemi

NTHL040N120SC1 - 1200V 40mΩ SiC MOSFET TO-247 | onsemi

NTHL040N120SC1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার NVHL072N120SC1 NTHL040N120SC1
ব্র্যান্ড onsemi onsemi
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Device Type N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET, EliteSiC —
Drain-Source Voltage (VDS) 1200 V —
Technology M1 planar SiC Silicon Carbide (SiC), EliteSiC M1
RDS(on) Max [DATA_NEEDED: RDS(on) max for NVHL072N120SC1] —
Continuous Drain Current (Tc) [DATA_NEEDED: ID at Tc for NVHL072N120SC1] 60 A
Power Dissipation (Tc) [DATA_NEEDED: PD at Tc for NVHL072N120SC1] 348 W
Total Gate Charge (QG tot) [DATA_NEEDED: QG for NVHL072N120SC1] (family typ. 56 nC for 80 mohm grade) —
Effective Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss for NVHL072N120SC1] (family typ. 80 pF for 80 mohm grade) —
প্যাকেজ TO-247-3 (through hole) TO-247-3L (Through Hole)
মাউন্টিং টাইপ Through Hole Through Hole
100% UIL Tested Yes —
AEC-Q101 Qualified —
PPAP Capable —
Halide Free Yes —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Channel Type — N-Channel
VDS (Drain-Source Voltage) — 1200 V
RDS(on) (Max) — 40 mΩ
Avalanche Energy EAS — 613 mJ (Tj = 25C, L = 1 mH, IAS = 35 A)
Configuration — Single FET
Gate Charge — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Input Capacitance Ciss — [DATA_NEEDED: Ciss]
Junction Temperature Range — [DATA_NEEDED: Tj range]
Thermal Resistance RthJC — [DATA_NEEDED: RthJC]
Moisture Sensitivity Level — [DATA_NEEDED: MSL]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট