NVHL072N120SC1 vs NTHL040N120SC1 So sánh
So sánh chi tiết song song của NVHL072N120SC1 bằng onsemi và NTHL040N120SC1 bằng onsemi. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | NVHL072N120SC1 | NTHL040N120SC1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | onsemi | onsemi |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Device Type | N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET, EliteSiC | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 1200 V | — |
| Technology | M1 planar SiC | Silicon Carbide (SiC), EliteSiC M1 |
| RDS(on) Max | [DATA_NEEDED: RDS(on) max for NVHL072N120SC1] | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | [DATA_NEEDED: ID at Tc for NVHL072N120SC1] | 60 A |
| Power Dissipation (Tc) | [DATA_NEEDED: PD at Tc for NVHL072N120SC1] | 348 W |
| Total Gate Charge (QG tot) | [DATA_NEEDED: QG for NVHL072N120SC1] (family typ. 56 nC for 80 mohm grade) | — |
| Effective Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss for NVHL072N120SC1] (family typ. 80 pF for 80 mohm grade) | — |
| Hộp | TO-247-3 (through hole) | TO-247-3L (Through Hole) |
| Kiểu lắp đặt | Through Hole | Through Hole |
| 100% UIL Tested | Yes | — |
| AEC-Q101 | Qualified | — |
| PPAP | Capable | — |
| Halide Free | Yes | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Channel Type | — | N-Channel |
| VDS (Drain-Source Voltage) | — | 1200 V |
| RDS(on) (Max) | — | 40 mΩ |
| Avalanche Energy EAS | — | 613 mJ (Tj = 25C, L = 1 mH, IAS = 35 A) |
| Configuration | — | Single FET |
| Gate Charge | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| Input Capacitance Ciss | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Junction Temperature Range | — | [DATA_NEEDED: Tj range] |
| Thermal Resistance RthJC | — | [DATA_NEEDED: RthJC] |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL] |