RTAX2000D-CQ352B vs RTAX2000D-1CQ352V তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা RTAX2000D-CQ352B নির্দিষ্ট Microsemi ও RTAX2000D-1CQ352V নির্দিষ্ট Microchip Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Microsemi
RTAX2000D-CQ352B RTAX2000D-CQ352B - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA, CQFP-352 | Microchip

RTAX2000D-CQ352B - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA, CQFP-352 | Microchip

RTAX2000D-CQ352B ✓ সক্রিয়
Microchip Technology
RTAX2000D-1CQ352V RTAX2000D-1CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000D-1CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000D-1CQ352V ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার RTAX2000D-CQ352B RTAX2000D-1CQ352V
ব্র্যান্ড Microsemi Microchip Technology
ক্যাটাগরি FPGA & CPLD FPGA & CPLD
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Family RTAX-S/SL and RTAX-DSP Radiation-Tolerant FPGAs —
Equivalent System Gates 2000000 —
Logic Cells 29568 29,568
CLBs 19712 19,712
Core Supply Voltage 1.5 V nominal (1.425 V to 1.575 V) 1.425 V to 1.575 V (nominal 1.5 V)
Process Technology CMOS antifuse —
Configuration Type One-time programmable antifuse, live at power-up —
Embedded Memory Embedded SRAM with built-in FIFO control logic Up to 540 kbits with optional EDAC protection
Clocking Features Segmentable clocks, chip-wide highway routing —
Arithmetic Support Carry logic —
প্যাকেজ CQFP-352 ceramic quad flat pack CQFP-352 (CQ352), ceramic
Screening / Speed Grade B (burn-in screening); D suffix = tighter ICCA limits at 125C final test —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Application Domain Space-flight systems —
Radiation Tolerance Radiation-tolerant (TID/SEE per family datasheet) —
RoHS স্ট্যাটাস [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
I/O Supply Voltage [DATA_NEEDED: I/O Bank Supply Voltage] —
Maximum User I/O [DATA_NEEDED: Maximum User I/O Count] —
Equivalent Gates — 2,000,000
DSP Mathblocks — Up to 120
DSP MAC Performance — 125 MHz, 18-bit x 18-bit multiply-accumulate
Technology — Digital CMOS, antifuse (nonvolatile)
Total Ionizing Dose (Functional) — 300 krad (Si)
Total Ionizing Dose — 200 krad (Si)
Configuration — Live at power-up, single-chip, no external configuration device
Speed Grade — -1
Screening — RTAX-D (Condition A, tighter ICCA limits at 125C final electrical test)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট