1ED3124MC12HXUMA1 vs 2ED2106S06FXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1ED3124MC12HXUMA1 von Infineon und 2ED2106S06FXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1ED3124MC12HXUMA1 2ED2106S06FXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,45 $0,78
Channel Type Single-channel —
Configuration High-side / Low-side (non-inverting) High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Number of Drivers 1 2
Anzahl der Ausgänge 1 2 (1 high-side, 1 low-side)
Peak Source Current 13.5 A —
Peak Sink Current 14 A —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) —
Isolation Voltage (RMS) 5.7 kV —
Transient Overvoltage 8000 Vpk —
Supply Voltage (VCC2) 10.5 V to 35 V —
Supply Current (Max) 1.1 mA —
Propagation Delay (Typ) 90 ns —
Anstiegszeit 15 ns —
Abfallzeit 30 ns —
Betriebstemperatur -40 C to +125 C —
Gehäuse PG-DSO-8 (DSO-8) PG-DSO-8-69 (DSO-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Protections UVLO, Short-Circuit (DESAT) —
Target Devices IGBT, SiC MOSFET —
RoHS-Status Compliant —
Offset Voltage (Voffset max) — 650 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Input Logic Compatibility — CMOS, TTL
Propagation Delay (typ.) — 100 ns
Anzahl der Pins — 8
Bootstrap Diode — Integrated
Betriebstemperaturbereich — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel
Ausgangstyp — Half-Bridge, Non-Inverting

Datenblätter & Ressourcen

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