1ED3124MC12HXUMA1 vs 2ED2106S06FXUMA1 比較

詳細な並列比較: 1ED3124MC12HXUMA1 メーカー: Infineon および 2ED2106S06FXUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
1ED3124MC12HXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 ✓ 生産中
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2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 1ED3124MC12HXUMA1 2ED2106S06FXUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.45 $0.78
Channel Type Single-channel —
Configuration High-side / Low-side (non-inverting) High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Number of Drivers 1 2
出力数 1 2 (1 high-side, 1 low-side)
Peak Source Current 13.5 A —
Peak Sink Current 14 A —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) —
Isolation Voltage (RMS) 5.7 kV —
Transient Overvoltage 8000 Vpk —
Supply Voltage (VCC2) 10.5 V to 35 V —
Supply Current (Max) 1.1 mA —
Propagation Delay (Typ) 90 ns —
立ち上がり時間 15 ns —
立ち下がり時間 30 ns —
動作温度 -40 C to +125 C —
パッケージ PG-DSO-8 (DSO-8) PG-DSO-8-69 (DSO-8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Protections UVLO, Short-Circuit (DESAT) —
Target Devices IGBT, SiC MOSFET —
RoHS ステータス Compliant —
Offset Voltage (Voffset max) — 650 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Input Logic Compatibility — CMOS, TTL
Propagation Delay (typ.) — 100 ns
ピン数 — 8
Bootstrap Diode — Integrated
動作温度範囲 — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel
出力タイプ — Half-Bridge, Non-Inverting

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