1ED3124MC12HXUMA1 vs 2ED2106S06FXUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 1ED3124MC12HXUMA1 par Infineon et 2ED2106S06FXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | 1ED3124MC12HXUMA1 | 2ED2106S06FXUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,45 | $0,78 |
| Channel Type | Single-channel | — |
| Configuration | High-side / Low-side (non-inverting) | High-Side and Low-Side (Half-Bridge) |
| Number of Drivers | 1 | 2 |
| Nombre de sorties | 1 | 2 (1 high-side, 1 low-side) |
| Peak Source Current | 13.5 A | — |
| Peak Sink Current | 14 A | — |
| Isolation Technology | Magnetic coupling (coreless transformer) | — |
| Isolation Voltage (RMS) | 5.7 kV | — |
| Transient Overvoltage | 8000 Vpk | — |
| Supply Voltage (VCC2) | 10.5 V to 35 V | — |
| Supply Current (Max) | 1.1 mA | — |
| Propagation Delay (Typ) | 90 ns | — |
| Temps de montée | 15 ns | — |
| Temps de descente | 30 ns | — |
| Température de fonctionnement | -40 C to +125 C | — |
| Boîtier | PG-DSO-8 (DSO-8) | PG-DSO-8-69 (DSO-8) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Protections | UVLO, Short-Circuit (DESAT) | — |
| Target Devices | IGBT, SiC MOSFET | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Offset Voltage (Voffset max) | — | 650 V |
| Source Current (typ.) | — | 0.29 A |
| Sink Current (typ.) | — | 0.7 A |
| Input Logic Compatibility | — | CMOS, TTL |
| Propagation Delay (typ.) | — | 100 ns |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Bootstrap Diode | — | Integrated |
| Plage de température de fonctionnement | — | -40C to +125C |
| Packaging | — | Tape & Reel |
| Type de sortie | — | Half-Bridge, Non-Inverting |