1ED3124MC12HXUMA1 vs 2ED2106S06FXUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 1ED3124MC12HXUMA1 제조: Infineon 및 2ED2106S06FXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 1ED3124MC12HXUMA1 2ED2106S06FXUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.45 $0.78
Channel Type Single-channel —
Configuration High-side / Low-side (non-inverting) High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Number of Drivers 1 2
출력 수 1 2 (1 high-side, 1 low-side)
Peak Source Current 13.5 A —
Peak Sink Current 14 A —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) —
Isolation Voltage (RMS) 5.7 kV —
Transient Overvoltage 8000 Vpk —
Supply Voltage (VCC2) 10.5 V to 35 V —
Supply Current (Max) 1.1 mA —
Propagation Delay (Typ) 90 ns —
상승 시간 15 ns —
하강 시간 30 ns —
동작 온도 -40 C to +125 C —
패키지 PG-DSO-8 (DSO-8) PG-DSO-8-69 (DSO-8)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Protections UVLO, Short-Circuit (DESAT) —
Target Devices IGBT, SiC MOSFET —
RoHS 상태 Compliant —
Offset Voltage (Voffset max) — 650 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Input Logic Compatibility — CMOS, TTL
Propagation Delay (typ.) — 100 ns
핀 수 — 8
Bootstrap Diode — Integrated
동작 온도 범위 — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel
출력 유형 — Half-Bridge, Non-Inverting

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