1EDB9275FXUMA1 vs 1ED020I12B2XUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDB9275FXUMA1 von Infineon und 1ED020I12B2XUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDB9275FXUMA1 1ED020I12B2XUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,62 $2,65
Funktion Isolated single-channel gate driver (high-side, inverting) —
Number of Channels 1 1
Ausgangskonfiguration High-side half-bridge —
Peak Source/Sink Current 9 A —
Input Voltage (VDD) 3 V to 15 V —
Isolation Voltage (Vrms) 3 kVrms 4500 Vrms
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 300 V/ns —
Clamping Response Time 20 ns —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Input Logic Inverting —
Betriebstemperaturbereich -40 C to +125 C —
Gehäuse PG-DSO-8 (150 mil) PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL-3 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS-Status Compliant —
Isolation Technology Coreless transformer (CT) Coreless transformer (magnetic coupling)
Driver Type — Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated
Output Current (typ.) — 2 A source / 2 A sink
Propagation Delay (typ.) — 35 ns
Supported Switch Voltage Class — Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET
DESAT Protection — Yes (programmable threshold)
Miller Clamp — Yes (integrated 2 A clamp FET)
Input Supply (VCC1) — 5 V (logic side)
Output Supply (VCC2) — Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V
Creepage Distance — 8 mm
Betriebstemperatur — -40 °C to +125 °C
Compliance — RoHS compliant

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