1EDB9275FXUMA1 vs 1ED020I12B2XUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 1EDB9275FXUMA1 제조: Infineon 및 1ED020I12B2XUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 1EDB9275FXUMA1 1ED020I12B2XUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.62 $2.65
기능 Isolated single-channel gate driver (high-side, inverting) —
Number of Channels 1 1
출력 구성 High-side half-bridge —
Peak Source/Sink Current 9 A —
Input Voltage (VDD) 3 V to 15 V —
Isolation Voltage (Vrms) 3 kVrms 4500 Vrms
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 300 V/ns —
Clamping Response Time 20 ns —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Input Logic Inverting —
동작 온도 범위 -40 C to +125 C —
패키지 PG-DSO-8 (150 mil) PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL-3 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS 상태 Compliant —
Isolation Technology Coreless transformer (CT) Coreless transformer (magnetic coupling)
Driver Type — Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated
Output Current (typ.) — 2 A source / 2 A sink
Propagation Delay (typ.) — 35 ns
Supported Switch Voltage Class — Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET
DESAT Protection — Yes (programmable threshold)
Miller Clamp — Yes (integrated 2 A clamp FET)
Input Supply (VCC1) — 5 V (logic side)
Output Supply (VCC2) — Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V
Creepage Distance — 8 mm
동작 온도 — -40 °C to +125 °C
Compliance — RoHS compliant

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