1EDB9275FXUMA1 vs 1ED020I12B2XUMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок 1EDB9275FXUMA1 от Infineon и 1ED020I12B2XUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
1ED020I12B2XUMA1 1ED020I12B2XUMA1 - 1200V Isolated Gate Driver, 2A, DESAT | Infineon

1ED020I12B2XUMA1 - 1200V Isolated Gate Driver, 2A, DESAT | Infineon

1ED020I12B2XUMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр 1EDB9275FXUMA1 1ED020I12B2XUMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,62 $2,65
Функция Isolated single-channel gate driver (high-side, inverting) —
Number of Channels 1 1
Выходная конфигурация High-side half-bridge —
Peak Source/Sink Current 9 A —
Input Voltage (VDD) 3 V to 15 V —
Isolation Voltage (Vrms) 3 kVrms 4500 Vrms
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 300 V/ns —
Clamping Response Time 20 ns —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Input Logic Inverting —
Диапазон рабочих температур -40 C to +125 C —
Корпус PG-DSO-8 (150 mil) PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL-3 (per JEDEC J-STD-020)
Статус RoHS Compliant —
Isolation Technology Coreless transformer (CT) Coreless transformer (magnetic coupling)
Driver Type — Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated
Output Current (typ.) — 2 A source / 2 A sink
Propagation Delay (typ.) — 35 ns
Supported Switch Voltage Class — Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET
DESAT Protection — Yes (programmable threshold)
Miller Clamp — Yes (integrated 2 A clamp FET)
Input Supply (VCC1) — 5 V (logic side)
Output Supply (VCC2) — Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V
Creepage Distance — 8 mm
Рабочая температура — -40 °C to +125 °C
Compliance — RoHS compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену