1EDB9275FXUMA1 vs 1ED020I12B2XUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDB9275FXUMA1 par Infineon et 1ED020I12B2XUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDB9275FXUMA1 1ED020I12B2XUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,62 $2,65
Fonction Isolated single-channel gate driver (high-side, inverting) —
Number of Channels 1 1
Configuration de sortie High-side half-bridge —
Peak Source/Sink Current 9 A —
Input Voltage (VDD) 3 V to 15 V —
Isolation Voltage (Vrms) 3 kVrms 4500 Vrms
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 300 V/ns —
Clamping Response Time 20 ns —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Input Logic Inverting —
Plage de température de fonctionnement -40 C to +125 C —
Boîtier PG-DSO-8 (150 mil) PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL-3 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant —
Isolation Technology Coreless transformer (CT) Coreless transformer (magnetic coupling)
Driver Type — Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated
Output Current (typ.) — 2 A source / 2 A sink
Propagation Delay (typ.) — 35 ns
Supported Switch Voltage Class — Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET
DESAT Protection — Yes (programmable threshold)
Miller Clamp — Yes (integrated 2 A clamp FET)
Input Supply (VCC1) — 5 V (logic side)
Output Supply (VCC2) — Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V
Creepage Distance — 8 mm
Température de fonctionnement — -40 °C to +125 °C
Compliance — RoHS compliant

Fiches techniques et ressources

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