1EDB9275FXUMA1 vs 1ED020I12B2XUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1EDB9275FXUMA1 por Infineon y 1ED020I12B2XUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 1EDB9275FXUMA1 1ED020I12B2XUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,62 $2,65
Función Isolated single-channel gate driver (high-side, inverting) —
Number of Channels 1 1
Configuración de salida High-side half-bridge —
Peak Source/Sink Current 9 A —
Input Voltage (VDD) 3 V to 15 V —
Isolation Voltage (Vrms) 3 kVrms 4500 Vrms
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 300 V/ns —
Clamping Response Time 20 ns —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Input Logic Inverting —
Rango de temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C —
Encapsulado PG-DSO-8 (150 mil) PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL-3 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS Compliant —
Isolation Technology Coreless transformer (CT) Coreless transformer (magnetic coupling)
Driver Type — Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated
Output Current (typ.) — 2 A source / 2 A sink
Propagation Delay (typ.) — 35 ns
Supported Switch Voltage Class — Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET
DESAT Protection — Yes (programmable threshold)
Miller Clamp — Yes (integrated 2 A clamp FET)
Input Supply (VCC1) — 5 V (logic side)
Output Supply (VCC2) — Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V
Creepage Distance — 8 mm
Temperatura de funcionamiento — -40 °C to +125 °C
Compliance — RoHS compliant

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