1EDN6550BXTSA1 vs 1ED3124MU12HXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDN6550BXTSA1 von Infineon und 1ED3124MU12HXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDN6550BXTSA1 1ED3124MU12HXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,44 $0,89
Product Type Single-channel gate driver IC Single-channel isolated gate driver IC
Driver Configuration High-Side / Low-Side, Non-Inverting —
Anzahl der Ausgänge 1 —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Minimum Pulse Width 29 ns —
Input Type Differential (TTL-compatible) —
Supply Voltage Range [DATA_NEEDED: VCC range] —
UVLO Protection Yes (integrated) —
Betriebstemperatur -40C to +125C —
Gehäuse PG-SOT23-6-3 (SOT-23-6) PG-DSO-8-66 (DSO-8 wide-body)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] MSL2 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS-Status Compliant Compliant
Pin-Anzahl 6 —
Manufacturer Family — EiceDRIVER Compact 1ED31xxMU12H (X3 compact)
Peak Output Current (source/sink) — 14 A typical
Ausgangskonfiguration — Separate source and sink pins
Galvanic Isolation (rms) — 5.7 kV (UL 1577)
Working Voltage (continuous) — 1200 V
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — 200 kV/us minimum
Propagation Delay (typ.) — 90 ns
UVLO Threshold — 10.5 V
Isolation Technology — Coreless transformer (CT)
Creepage Distance — >8 mm
Betriebstemperaturbereich — -40C to +125C
Target Switch Types — IGBT, power MOSFET, SiC MOSFET
Recommended Switch Class — Up to 2300 V IGBT / SiC modules

Datenblätter & Ressourcen

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