1EDN6550BXTSA1 vs 1ED3124MU12HXUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 1EDN6550BXTSA1 par Infineon et 1ED3124MU12HXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
1ED3124MU12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver | Infineon EiceDRIVER
1ED3124MU12HXUMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | 1EDN6550BXTSA1 | 1ED3124MU12HXUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,44 | $0,89 |
| Product Type | Single-channel gate driver IC | Single-channel isolated gate driver IC |
| Driver Configuration | High-Side / Low-Side, Non-Inverting | — |
| Nombre de sorties | 1 | — |
| Peak Source Current | 4 A | — |
| Peak Sink Current | 8 A | — |
| Minimum Pulse Width | 29 ns | — |
| Input Type | Differential (TTL-compatible) | — |
| Supply Voltage Range | [DATA_NEEDED: VCC range] | — |
| UVLO Protection | Yes (integrated) | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | — |
| Boîtier | PG-SOT23-6-3 (SOT-23-6) | PG-DSO-8-66 (DSO-8 wide-body) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | MSL2 (per JEDEC J-STD-020) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Nombre de broches | 6 | — |
| Manufacturer Family | — | EiceDRIVER Compact 1ED31xxMU12H (X3 compact) |
| Peak Output Current (source/sink) | — | 14 A typical |
| Configuration de sortie | — | Separate source and sink pins |
| Galvanic Isolation (rms) | — | 5.7 kV (UL 1577) |
| Working Voltage (continuous) | — | 1200 V |
| Common-Mode Transient Immunity (CMTI) | — | 200 kV/us minimum |
| Propagation Delay (typ.) | — | 90 ns |
| UVLO Threshold | — | 10.5 V |
| Isolation Technology | — | Coreless transformer (CT) |
| Creepage Distance | — | >8 mm |
| Plage de température de fonctionnement | — | -40C to +125C |
| Target Switch Types | — | IGBT, power MOSFET, SiC MOSFET |
| Recommended Switch Class | — | Up to 2300 V IGBT / SiC modules |