1EDN6550BXTSA1 vs 1ED3124MU12HXUMA1 比較

詳細な並列比較: 1EDN6550BXTSA1 メーカー: Infineon および 1ED3124MU12HXUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
1EDN6550BXTSA1 1EDN6550BXTSA1 - 5A Gate Driver IC, SOT-23-6 | Infineon

1EDN6550BXTSA1 - 5A Gate Driver IC, SOT-23-6 | Infineon

1EDN6550BXTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 1EDN6550BXTSA1 1ED3124MU12HXUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.44 $0.89
Product Type Single-channel gate driver IC Single-channel isolated gate driver IC
Driver Configuration High-Side / Low-Side, Non-Inverting —
出力数 1 —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Minimum Pulse Width 29 ns —
Input Type Differential (TTL-compatible) —
Supply Voltage Range [DATA_NEEDED: VCC range] —
UVLO Protection Yes (integrated) —
動作温度 -40C to +125C —
パッケージ PG-SOT23-6-3 (SOT-23-6) PG-DSO-8-66 (DSO-8 wide-body)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] MSL2 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS ステータス Compliant Compliant
ピン数 6 —
Manufacturer Family — EiceDRIVER Compact 1ED31xxMU12H (X3 compact)
Peak Output Current (source/sink) — 14 A typical
出力構成 — Separate source and sink pins
Galvanic Isolation (rms) — 5.7 kV (UL 1577)
Working Voltage (continuous) — 1200 V
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — 200 kV/us minimum
Propagation Delay (typ.) — 90 ns
UVLO Threshold — 10.5 V
Isolation Technology — Coreless transformer (CT)
Creepage Distance — >8 mm
動作温度範囲 — -40C to +125C
Target Switch Types — IGBT, power MOSFET, SiC MOSFET
Recommended Switch Class — Up to 2300 V IGBT / SiC modules

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