1EDN7146GXTMA1 vs 2ED2108S06FXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDN7146GXTMA1 von Infineon und 2ED2108S06FXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDN7146GXTMA1 2ED2108S06FXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,05 $0,30
Driver Type High-side, single-channel —
Number of Drivers 1 1
Logic Type Non-Inverting —
Input Type TDI (Truly Differential Inductor) —
Maximum Bootstrap Voltage (VB) 200 V —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Source/Sink Drive Current 500 mA / 500 mA —
Gate Drive Voltage Up to 11 V (typ) —
Propagation Delay (typ) 40 ns —
Rise/Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
UVLO (VCC) Yes —
UVLO (VB) Yes —
Bootstrap Diode Integrated —
Betriebstemperatur -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Gehäuse PG-VSON-10-4 PG-DSO-8-53 (DSO-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 1
Driver Configuration — Half-Bridge
Gate Type — N-Channel MOSFET, IGBT
Anzahl der Ausgänge — 2 (high-side + low-side)
Logic Input — Non-Inverting
Input Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
High-Side Bootstrap Voltage Rating — 650 V
Peak Source Current (typ.) — 0.29 A
Peak Sink Current (typ.) — 0.7 A
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VB)
Propagation Delay (typ.) — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: tr/tf ns]

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