1EDN7146GXTMA1 vs 2ED2108S06FXUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 1EDN7146GXTMA1 par Infineon et 2ED2108S06FXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | 1EDN7146GXTMA1 | 2ED2108S06FXUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,05 | $0,30 |
| Driver Type | High-side, single-channel | — |
| Number of Drivers | 1 | 1 |
| Logic Type | Non-Inverting | — |
| Input Type | TDI (Truly Differential Inductor) | — |
| Maximum Bootstrap Voltage (VB) | 200 V | — |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 20 V | — |
| Source/Sink Drive Current | 500 mA / 500 mA | — |
| Gate Drive Voltage | Up to 11 V (typ) | — |
| Propagation Delay (typ) | 40 ns | — |
| Rise/Fall Time (typ) | [DATA_NEEDED: rise/fall time] | — |
| UVLO (VCC) | Yes | — |
| UVLO (VB) | Yes | — |
| Bootstrap Diode | Integrated | — |
| Température de fonctionnement | -40 C to +125 C | -40 C to +125 C |
| Boîtier | PG-VSON-10-4 | PG-DSO-8-53 (DSO-8) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 | 1 |
| Driver Configuration | — | Half-Bridge |
| Gate Type | — | N-Channel MOSFET, IGBT |
| Nombre de sorties | — | 2 (high-side + low-side) |
| Logic Input | — | Non-Inverting |
| Input Voltage (VCC) | — | 10 V to 20 V |
| High-Side Bootstrap Voltage Rating | — | 650 V |
| Peak Source Current (typ.) | — | 0.29 A |
| Peak Sink Current (typ.) | — | 0.7 A |
| Integrated Bootstrap Diode | — | Yes |
| Undervoltage Lockout (UVLO) | — | Yes (VCC and VB) |
| Propagation Delay (typ.) | — | [DATA_NEEDED: propagation delay ns] |
| Rise / Fall Time (typ.) | — | [DATA_NEEDED: tr/tf ns] |