1EDN7146UXTSA1 vs IR2304SPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDN7146UXTSA1 von Infineon und IR2304SPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDN7146UXTSA1 IR2304SPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,82 $0,48
Driver Type Single-channel high-side TDI gate driver —
Maximum Blocking Voltage 200 V —
Input Configuration Truly differential (TDI) —
Output Current (Source / Sink) 1.5 A / 2.5 A —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns] —
Anstiegszeit [DATA_NEEDED: typical rise time ns] —
Abfallzeit [DATA_NEEDED: typical fall time ns] —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range V] —
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C -40 C to +125 C
Gehäuse PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad) 8-Pin SOIC (SO-8 N)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Target Transistor GaN SG HEMT or power MOSFET —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS-Status Compliant Compliant (Pb-free)
Topology Support Half-bridge, low-side, high-side —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High and Low Side, Independent Channels
Anzahl der Ausgänge — 2
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source/Sink Current — 60 mA / 130 mA
Propagation Delay (Typical) — 220 ns
Input Logic Compatibility — 3.3 V, 5 V, 15 V
Undervoltage Lockout (UVLO) — Both High-Side and Low-Side Channels
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes (dV/dt immune)
Logic Input Polarity — Non-Inverting
Technology — HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic

Datenblätter & Ressourcen

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