1EDN7146UXTSA1 vs IR2304SPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1EDN7146UXTSA1 por Infineon y IR2304SPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 1EDN7146UXTSA1 IR2304SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,82 $0,48
Driver Type Single-channel high-side TDI gate driver —
Maximum Blocking Voltage 200 V —
Input Configuration Truly differential (TDI) —
Output Current (Source / Sink) 1.5 A / 2.5 A —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns] —
Tiempo de subida [DATA_NEEDED: typical rise time ns] —
Tiempo de bajada [DATA_NEEDED: typical fall time ns] —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range V] —
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40 C to +125 C
Encapsulado PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad) 8-Pin SOIC (SO-8 N)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Target Transistor GaN SG HEMT or power MOSFET —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Estado RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Topology Support Half-bridge, low-side, high-side —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High and Low Side, Independent Channels
Número de salidas — 2
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source/Sink Current — 60 mA / 130 mA
Propagation Delay (Typical) — 220 ns
Input Logic Compatibility — 3.3 V, 5 V, 15 V
Undervoltage Lockout (UVLO) — Both High-Side and Low-Side Channels
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes (dV/dt immune)
Logic Input Polarity — Non-Inverting
Technology — HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic

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