1EDN7146UXTSA1 vs IR2304SPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDN7146UXTSA1 par Infineon et IR2304SPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDN7146UXTSA1 IR2304SPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,82 $0,48
Driver Type Single-channel high-side TDI gate driver —
Maximum Blocking Voltage 200 V —
Input Configuration Truly differential (TDI) —
Output Current (Source / Sink) 1.5 A / 2.5 A —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns] —
Temps de montée [DATA_NEEDED: typical rise time ns] —
Temps de descente [DATA_NEEDED: typical fall time ns] —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range V] —
Plage de température de fonctionnement -40C to +125C -40 C to +125 C
Boîtier PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad) 8-Pin SOIC (SO-8 N)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Target Transistor GaN SG HEMT or power MOSFET —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Statut RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Topology Support Half-bridge, low-side, high-side —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High and Low Side, Independent Channels
Nombre de sorties — 2
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source/Sink Current — 60 mA / 130 mA
Propagation Delay (Typical) — 220 ns
Input Logic Compatibility — 3.3 V, 5 V, 15 V
Undervoltage Lockout (UVLO) — Both High-Side and Low-Side Channels
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes (dV/dt immune)
Logic Input Polarity — Non-Inverting
Technology — HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic

Fiches techniques et ressources

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