1EDN7511BXUSA1 vs 2EDN7533RXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDN7511BXUSA1 von Infineon und 2EDN7533RXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDN7511BXUSA1 2EDN7533RXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,95 $0,55
Driver Type Low-Side, Single Channel —
Number of Drivers 1 —
Anzahl der Ausgänge 1 —
Configuration Inverting, Non-Inverting —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Anstiegszeit [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Abfallzeit 4.5 ns —
Propagation Delay ±5 ns (matched) —
Betriebsversorgungsspannung [DATA_NEEDED: VCC range V] —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS LV-TTL
UVLO Protection Yes (integrated) —
Output Stage True low-impedance complementary rail-to-rail —
Betriebstemperaturbereich -40 C to +150 C —
Gehäuse PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23) PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad
Montageart Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount
Packaging Cut Tape (Tape & Reel available) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Funktion — Dual-channel low-side gate driver
Number of Channels — 2
Input Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Output Current — 5 A
Output Resistance (Pull-up, typ.) — 0.5 ohm
Output Resistance (Pull-down, typ.) — 0.3 ohm
Propagation Delay (typ.) — 19 ns
Channel-to-Channel Delay Matching — 1.3 ns (typ.)
Rise/Fall Time — 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load)
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V
Supply Voltage VDD (recommended) — 4.5 V to 20 V
Supply Voltage VDD (absolute max) — 25 V
Under-Voltage Lockout — Yes (per channel)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -40 C to +150 C

Datenblätter & Ressourcen

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