1EDN7511BXUSA1 vs 2EDN7533RXTMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1EDN7511BXUSA1 por Infineon e 2EDN7533RXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1EDN7511BXUSA1 2EDN7533RXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,95 $0,55
Driver Type Low-Side, Single Channel —
Number of Drivers 1 —
Número de saídas 1 —
Configuration Inverting, Non-Inverting —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Tempo de subida [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Tempo de descida 4.5 ns —
Propagation Delay ±5 ns (matched) —
Tensão de alimentação de operação [DATA_NEEDED: VCC range V] —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS LV-TTL
UVLO Protection Yes (integrated) —
Output Stage True low-impedance complementary rail-to-rail —
Faixa de temperatura de operação -40 C to +150 C —
Encapsulamento PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23) PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad
Tipo de montagem Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount
Packaging Cut Tape (Tape & Reel available) —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Função — Dual-channel low-side gate driver
Number of Channels — 2
Input Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Output Current — 5 A
Output Resistance (Pull-up, typ.) — 0.5 ohm
Output Resistance (Pull-down, typ.) — 0.3 ohm
Propagation Delay (typ.) — 19 ns
Channel-to-Channel Delay Matching — 1.3 ns (typ.)
Rise/Fall Time — 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load)
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V
Supply Voltage VDD (recommended) — 4.5 V to 20 V
Supply Voltage VDD (absolute max) — 25 V
Under-Voltage Lockout — Yes (per channel)
Temperatura de junção de operação — -40 C to +150 C

Fichas técnicas e recursos

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