1EDN7511BXUSA1 vs 2EDN7533RXTMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1EDN7511BXUSA1 por Infineon y 2EDN7533RXTMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 1EDN7511BXUSA1 2EDN7533RXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,95 $0,55
Driver Type Low-Side, Single Channel —
Number of Drivers 1 —
Número de salidas 1 —
Configuration Inverting, Non-Inverting —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Tiempo de subida [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Tiempo de bajada 4.5 ns —
Propagation Delay ±5 ns (matched) —
Tensión de alimentación de funcionamiento [DATA_NEEDED: VCC range V] —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS LV-TTL
UVLO Protection Yes (integrated) —
Output Stage True low-impedance complementary rail-to-rail —
Rango de temperatura de funcionamiento -40 C to +150 C —
Encapsulado PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23) PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad
Tipo de montaje Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount
Packaging Cut Tape (Tape & Reel available) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Función — Dual-channel low-side gate driver
Number of Channels — 2
Input Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Output Current — 5 A
Output Resistance (Pull-up, typ.) — 0.5 ohm
Output Resistance (Pull-down, typ.) — 0.3 ohm
Propagation Delay (typ.) — 19 ns
Channel-to-Channel Delay Matching — 1.3 ns (typ.)
Rise/Fall Time — 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load)
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V
Supply Voltage VDD (recommended) — 4.5 V to 20 V
Supply Voltage VDD (absolute max) — 25 V
Under-Voltage Lockout — Yes (per channel)
Temperatura de unión de funcionamiento — -40 C to +150 C

Hojas de datos y recursos

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