1EDN7511BXUSA1 vs 2EDN7533RXTMA1 比較

詳細な並列比較: 1EDN7511BXUSA1 メーカー: Infineon および 2EDN7533RXTMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
2EDN7533RXTMA1 2EDN7533RXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver | Infineon

2EDN7533RXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver | Infineon

2EDN7533RXTMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 1EDN7511BXUSA1 2EDN7533RXTMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.95 $0.55
Driver Type Low-Side, Single Channel —
Number of Drivers 1 —
出力数 1 —
Configuration Inverting, Non-Inverting —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
立ち上がり時間 [DATA_NEEDED: rise time ns] —
立ち下がり時間 4.5 ns —
Propagation Delay ±5 ns (matched) —
動作電源電圧 [DATA_NEEDED: VCC range V] —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS LV-TTL
UVLO Protection Yes (integrated) —
Output Stage True low-impedance complementary rail-to-rail —
動作温度範囲 -40 C to +150 C —
パッケージ PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23) PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad
実装タイプ Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount
Packaging Cut Tape (Tape & Reel available) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
機能 — Dual-channel low-side gate driver
Number of Channels — 2
Input Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Output Current — 5 A
Output Resistance (Pull-up, typ.) — 0.5 ohm
Output Resistance (Pull-down, typ.) — 0.3 ohm
Propagation Delay (typ.) — 19 ns
Channel-to-Channel Delay Matching — 1.3 ns (typ.)
Rise/Fall Time — 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load)
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V
Supply Voltage VDD (recommended) — 4.5 V to 20 V
Supply Voltage VDD (absolute max) — 25 V
Under-Voltage Lockout — Yes (per channel)
動作接合温度 — -40 C to +150 C

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼