2ED2106S06FXUMA1 vs 2EDL6014ACG2DXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2ED2106S06FXUMA1 von Infineon und 2EDL6014ACG2DXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2ED2106S06FXUMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,78 $1,18
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns —
Anzahl der Ausgänge 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Number of Drivers 2 —
Anzahl der Pins 8 —
Gehäuse PG-DSO-8-69 (DSO-8) 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad
Montageart Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
Ausgangstyp Half-Bridge, Non-Inverting —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Number of Channels — 2 (high-side + low-side)
Ausgangskonfiguration — Non-Inverting
High-Side Voltage Rating — 120 V
Source Output Current — 4 A
Sink Output Current — 6 A
Supply Voltage (VDD) — 2.97 V to 5.5 V
Rise Time (typ.) — 4.2 ns
Fall Time (typ.) — 3.8 ns
Betriebstemperatur — -40 C to +125 C
Packing Method — Tape & Reel
Isolation Type — Isolated (level-shifted floating high-side)
Technology Family — EiceDRIVER 2EDL

Datenblätter & Ressourcen

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