2ED2106S06FXUMA1 vs 2EDL6014ACG2DXTMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок 2ED2106S06FXUMA1 от Infineon и 2EDL6014ACG2DXTMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 ✓ Активен
Infineon
2EDL6014ACG2DXTMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver, 4A/6A | Infineon

2EDL6014ACG2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver, 4A/6A | Infineon

2EDL6014ACG2DXTMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр 2ED2106S06FXUMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,78 $1,18
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns —
Количество выходов 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Number of Drivers 2 —
Количество выводов 8 —
Корпус PG-DSO-8-69 (DSO-8) 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
Диапазон рабочих температур -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
Тип выхода Half-Bridge, Non-Inverting —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Number of Channels — 2 (high-side + low-side)
Выходная конфигурация — Non-Inverting
High-Side Voltage Rating — 120 V
Source Output Current — 4 A
Sink Output Current — 6 A
Supply Voltage (VDD) — 2.97 V to 5.5 V
Rise Time (typ.) — 4.2 ns
Fall Time (typ.) — 3.8 ns
Рабочая температура — -40 C to +125 C
Packing Method — Tape & Reel
Isolation Type — Isolated (level-shifted floating high-side)
Technology Family — EiceDRIVER 2EDL

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену