2ED2106S06FXUMA1 vs 2EDL6014ACG2DXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2ED2106S06FXUMA1 par Infineon et 2EDL6014ACG2DXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2ED2106S06FXUMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,78 $1,18
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns —
Nombre de sorties 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Number of Drivers 2 —
Nombre de broches 8 —
Boîtier PG-DSO-8-69 (DSO-8) 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
Plage de température de fonctionnement -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
Type de sortie Half-Bridge, Non-Inverting —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Number of Channels — 2 (high-side + low-side)
Configuration de sortie — Non-Inverting
High-Side Voltage Rating — 120 V
Source Output Current — 4 A
Sink Output Current — 6 A
Supply Voltage (VDD) — 2.97 V to 5.5 V
Rise Time (typ.) — 4.2 ns
Fall Time (typ.) — 3.8 ns
Température de fonctionnement — -40 C to +125 C
Packing Method — Tape & Reel
Isolation Type — Isolated (level-shifted floating high-side)
Technology Family — EiceDRIVER 2EDL

Fiches techniques et ressources

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