2ED2106S06FXUMA1 vs IR2114SSPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2ED2106S06FXUMA1 von Infineon und IR2114SSPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2ED2106S06FXUMA1 IR2114SSPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,78 $3,70
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) Half-bridge gate driver
Source Current (typ.) 0.29 A 2 A
Sink Current (typ.) 0.7 A 3 A
Input Logic Compatibility CMOS, TTL 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL
Propagation Delay (typ.) 100 ns 50 ns
Anzahl der Ausgänge 2 (1 high-side, 1 low-side) 2 (high-side + low-side)
Number of Drivers 2 —
Anzahl der Pins 8 —
Gehäuse PG-DSO-8-69 (DSO-8) 24-SSOP (7.80 mm wide, 1.75 mm height)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
Ausgangstyp Half-Bridge, Non-Inverting —
Topologie — Non-inverting
Offset (high-side) Voltage (max) — 600 V
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Logic Supply (VDD) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 25 V (with respect to VS)
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
UVLO Thresholds — VCC and VBS, internally set
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Over-Current Shutdown — Yes (programmable, with FAULT output)
Betriebstemperatur — -40 C to +125 C
RoHS-Status — Compliant

Datenblätter & Ressourcen

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