2ED2106S06FXUMA1 vs IR2114SSPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2ED2106S06FXUMA1 por Infineon e IR2114SSPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2ED2106S06FXUMA1 IR2114SSPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,78 $3,70
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) Half-bridge gate driver
Source Current (typ.) 0.29 A 2 A
Sink Current (typ.) 0.7 A 3 A
Input Logic Compatibility CMOS, TTL 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL
Propagation Delay (typ.) 100 ns 50 ns
Número de saídas 2 (1 high-side, 1 low-side) 2 (high-side + low-side)
Number of Drivers 2 —
Número de pinos 8 —
Encapsulamento PG-DSO-8-69 (DSO-8) 24-SSOP (7.80 mm wide, 1.75 mm height)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
Faixa de temperatura de operação -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
Tipo de saída Half-Bridge, Non-Inverting —
Topologia — Non-inverting
Offset (high-side) Voltage (max) — 600 V
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Logic Supply (VDD) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 25 V (with respect to VS)
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
UVLO Thresholds — VCC and VBS, internally set
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Over-Current Shutdown — Yes (programmable, with FAULT output)
Temperatura de operação — -40 C to +125 C
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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