2ED2106S06FXUMA1 vs IR2114SSPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: 2ED2106S06FXUMA1 제조: Infineon 및 IR2114SSPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 2ED2106S06FXUMA1 IR2114SSPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.78 $3.70
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) Half-bridge gate driver
Source Current (typ.) 0.29 A 2 A
Sink Current (typ.) 0.7 A 3 A
Input Logic Compatibility CMOS, TTL 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL
Propagation Delay (typ.) 100 ns 50 ns
출력 수 2 (1 high-side, 1 low-side) 2 (high-side + low-side)
Number of Drivers 2 —
핀 수 8 —
패키지 PG-DSO-8-69 (DSO-8) 24-SSOP (7.80 mm wide, 1.75 mm height)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
동작 온도 범위 -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
출력 유형 Half-Bridge, Non-Inverting —
토폴로지 — Non-inverting
Offset (high-side) Voltage (max) — 600 V
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Logic Supply (VDD) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 25 V (with respect to VS)
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
UVLO Thresholds — VCC and VBS, internally set
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Over-Current Shutdown — Yes (programmable, with FAULT output)
동작 온도 — -40 C to +125 C
RoHS 상태 — Compliant

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