2ED2106S06FXUMA1 vs IR2114SSPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2ED2106S06FXUMA1 por Infineon y IR2114SSPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2ED2106S06FXUMA1 IR2114SSPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $3,70
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) Half-bridge gate driver
Source Current (typ.) 0.29 A 2 A
Sink Current (typ.) 0.7 A 3 A
Input Logic Compatibility CMOS, TTL 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL
Propagation Delay (typ.) 100 ns 50 ns
Número de salidas 2 (1 high-side, 1 low-side) 2 (high-side + low-side)
Number of Drivers 2 —
Número de pines 8 —
Encapsulado PG-DSO-8-69 (DSO-8) 24-SSOP (7.80 mm wide, 1.75 mm height)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
Tipo de salida Half-Bridge, Non-Inverting —
Topología — Non-inverting
Offset (high-side) Voltage (max) — 600 V
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Logic Supply (VDD) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 25 V (with respect to VS)
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
UVLO Thresholds — VCC and VBS, internally set
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Over-Current Shutdown — Yes (programmable, with FAULT output)
Temperatura de funcionamiento — -40 C to +125 C
Estado RoHS — Compliant

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