2ED2106S06FXUMA1 vs IRS2104STRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2ED2106S06FXUMA1 von Infineon und IRS2104STRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2ED2106S06FXUMA1 IRS2104STRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,78 $0,45
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) —
Source Current (typ.) 0.29 A 0.29 A
Sink Current (typ.) 0.7 A 0.6 A
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns 150 ns
Anzahl der Ausgänge 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Number of Drivers 2 —
Anzahl der Pins 8 —
Gehäuse PG-DSO-8-69 (DSO-8) 8-Lead SOIC (SOIC-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
Ausgangstyp Half-Bridge, Non-Inverting —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Topologie — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Number of Channels — 2 (HS + LS, dependent)
High-Side Offset Voltage (VS) — -5 V to +600 V
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Rise Time (typ.) — 35 ns
Fall Time (typ.) — 70 ns
Quiescent Current (typ.) — 150 uA
Undervoltage Protection — Yes (VCC and VBS UVLO)
Shutdown Pin — Yes (SD, active-low per typical usage)
Logic Input Compatibility — Standard CMOS / LSTTL
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -40C to +150C
MSL-Level — 2 (1 year floor life per datasheet)
Qualification Level — Industrial
RoHS-Status — Compliant (PbF suffix)

Datenblätter & Ressourcen

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