2ED2106S06FXUMA1 vs IRS2104STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2ED2106S06FXUMA1 por Infineon y IRS2104STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2ED2106S06FXUMA1 IRS2104STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $0,45
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) —
Source Current (typ.) 0.29 A 0.29 A
Sink Current (typ.) 0.7 A 0.6 A
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns 150 ns
Número de salidas 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Number of Drivers 2 —
Número de pines 8 —
Encapsulado PG-DSO-8-69 (DSO-8) 8-Lead SOIC (SOIC-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
Tipo de salida Half-Bridge, Non-Inverting —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Topología — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Number of Channels — 2 (HS + LS, dependent)
High-Side Offset Voltage (VS) — -5 V to +600 V
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Rise Time (typ.) — 35 ns
Fall Time (typ.) — 70 ns
Quiescent Current (typ.) — 150 uA
Undervoltage Protection — Yes (VCC and VBS UVLO)
Shutdown Pin — Yes (SD, active-low per typical usage)
Logic Input Compatibility — Standard CMOS / LSTTL
Temperatura de unión de funcionamiento — -40C to +150C
Nivel MSL — 2 (1 year floor life per datasheet)
Qualification Level — Industrial
Estado RoHS — Compliant (PbF suffix)

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