2ED2106S06FXUMA1 vs IRS2104STRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2ED2106S06FXUMA1 par Infineon et IRS2104STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2ED2106S06FXUMA1 IRS2104STRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,78 $0,45
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) —
Source Current (typ.) 0.29 A 0.29 A
Sink Current (typ.) 0.7 A 0.6 A
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns 150 ns
Nombre de sorties 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Number of Drivers 2 —
Nombre de broches 8 —
Boîtier PG-DSO-8-69 (DSO-8) 8-Lead SOIC (SOIC-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
Plage de température de fonctionnement -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
Type de sortie Half-Bridge, Non-Inverting —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Topologie — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Number of Channels — 2 (HS + LS, dependent)
High-Side Offset Voltage (VS) — -5 V to +600 V
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Rise Time (typ.) — 35 ns
Fall Time (typ.) — 70 ns
Quiescent Current (typ.) — 150 uA
Undervoltage Protection — Yes (VCC and VBS UVLO)
Shutdown Pin — Yes (SD, active-low per typical usage)
Logic Input Compatibility — Standard CMOS / LSTTL
Température de jonction en fonctionnement — -40C to +150C
Niveau MSL — 2 (1 year floor life per datasheet)
Qualification Level — Industrial
Statut RoHS — Compliant (PbF suffix)

Fiches techniques et ressources

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