2ED2106S06FXUMA1 vs IRS2104STRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: 2ED2106S06FXUMA1 제조: Infineon 및 IRS2104STRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 2ED2106S06FXUMA1 IRS2104STRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.78 $0.45
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) —
Source Current (typ.) 0.29 A 0.29 A
Sink Current (typ.) 0.7 A 0.6 A
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns 150 ns
출력 수 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Number of Drivers 2 —
핀 수 8 —
패키지 PG-DSO-8-69 (DSO-8) 8-Lead SOIC (SOIC-8)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
동작 온도 범위 -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
출력 유형 Half-Bridge, Non-Inverting —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
토폴로지 — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Number of Channels — 2 (HS + LS, dependent)
High-Side Offset Voltage (VS) — -5 V to +600 V
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Rise Time (typ.) — 35 ns
Fall Time (typ.) — 70 ns
Quiescent Current (typ.) — 150 uA
Undervoltage Protection — Yes (VCC and VBS UVLO)
Shutdown Pin — Yes (SD, active-low per typical usage)
Logic Input Compatibility — Standard CMOS / LSTTL
동작 접합 온도 — -40C to +150C
MSL 레벨 — 2 (1 year floor life per datasheet)
Qualification Level — Industrial
RoHS 상태 — Compliant (PbF suffix)

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