2ED21834S06JXUMA1 vs 2ED2183S06FXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2ED21834S06JXUMA1 von Infineon und 2ED2183S06FXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2ED21834S06JXUMA1 2ED2183S06FXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,89 $1,05
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) High Side, Low Side, Non-Inverting
Maximum Offset Voltage (VBS) 650 V —
Typical Sink Current 2.5 A —
Typical Source Current 2.5 A —
Input Logic Non-Inverting —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage SOI (Silicon-On-Insulator)
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Gehäuse PG-DSO-14-49 (DSO-14) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
Anzahl der Pins 14 —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -40 °C to +125 °C —
RoHS-Status Compliant Compliant
Standard Reel Quantity 3000 —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Number of Drivers — 1
Anzahl der Ausgänge — 1 (half-bridge: high-side + low-side)
Maximum Offset Voltage — 650 V
Output Current (Sink/Source) — 2.5 A typical
Anstiegszeit — 15 ns
Abfallzeit — 15 ns
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V (typ.)
Logic Input Voltage — 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN)
Input Type — Non-Inverting
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — VCC and VBS
Betriebstemperatur — -40 C to +125 C
MSL-Level — 2
Terminal Finish — Tin (e3 per JESD-609)

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